15-polige fasergekoppelte Laserdiode
$2,564.00
Die 15-poligen fasergekoppelten Laser von SemiNex werden im Wellenlängenbereich von 12xx bis 19xx nm angeboten. Diese robusten Laser wurden entwickelt, um die Anforderungen von medizinischen OEM-Herstellern oder anderen Kunden zu erfüllen, die fasergekoppelte Hochleistungslaser benötigen. Der Laser wird auch in anderen Anwendungen wie Punkt-zu-Punkt-Kommunikation und Diodenpumpanwendungen verwendet. Diese Laser haben einen eingebauten roten Zielstrahl und einen Thermistor. Ein thermischer elektrischer Kühler ist optional. Kundenspezifische Wellenlängen und Pakete sind auf Anfrage erhältlich.
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Wellenlänge: 1480 nm
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Blende: 200 um
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Modus: Multi-Modus
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Kreuzung: Single
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Zielstrahl
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Fotodiode
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Thermistor
| Symbol | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|
| Optisch | |||
| Wellenlänge | λc | nm(+/-20) | |
| Ausgangsleistung (CW) | Po | watts | |
| Spektrale Breite | Δλ | nm 3dB | |
| Hohlraumlänge | CL | μm | |
| Verbindungstyp | |||
| Emitterhöhe | H | μm | |
| Temperatur Koeffizient | Δλ/ΔλT | nm/C | |
| Steigungseffizienz | ηo | W/A | |
| Slow Axis Divg. | θ_parallel | deg FWHM | |
| Fast Axis Divg. | θ_perp | deg FWHM | |
| Anzahl der Strahler | |||
| Impulsbreite | PW | ns | |
| Auslastungsgrad | DC | % |
| Symbol | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|
| Elektrisch | |||
| Leistungsumwandlung Eff. | η | Min | |
| Betriebsstrom | Iop | A | |
| Betriebsspannung | Vop | V | |
| Serienwiderstand | Rs | ohm | |
| Fotodiodenstrom | Im | mA | |
| Thermistor - Widerstand | R | K omh +/-5% | |
| Zielstrahl - Strombegrenzung | Imax | mA | |
| Zielstrahl - Ausgangsleistung | Pa | mW | |
| Zielstrahl - Wellenlänge | λa | nm |
| Symbol | Wert | Einheiten | ||
|---|---|---|---|---|
| Mechanisch | ||||
| Faserlänge | Meters | |||
| Verbinder | ||||
| Bleilöttemp. | °C | |||
| Gewicht | g | |||
| Betriebstemperatur. | °C |
| Sonstiges | |
|---|---|
| Spezifikationshinweise | Die angegebenen Werte gelten für eine konstante Kühlkörpertemperatur von 20 °C. |
SemiNex liefert die höchste verfügbare Leistung bei Infrarotwellenlängen zwischen 12xx und 19xx nm. Bei Bedarf werden wir das Design unserer InP-Laserchips weiter optimieren, um die spezifischen optischen und elektrischen Leistungsanforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Dioden, Stäbe und Gehäuse werden getestet, um die Leistungsanforderungen der Kunden und des Marktes zu erfüllen. Typische Ergebnisse und Verpackungsoptionen werden gezeigt. Kontaktieren Sie SemiNex für weitere Details oder um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen.Klicken Sie hier, um das Produktinformationsblatt anzuzeigen
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