B-Mount mit SemiNex Laserdiode

$740.00

Artikelnummer: 531 Teilenummer: B-134-134

Die B-Mounted Laserdioden von SemiNex sind eine ausgezeichnete Wahl für Kunden, die hochmoderne Leistung in einem kostengünstigen Submount-Design suchen. Diese Laser werden für den InP-Wellenlängenbereich von 12xxnm bis 16xxnm und den GaSb-Wellenlängenbereich von 19xxnm bis 24xxnm bereitgestellt und sind in einer Vielzahl von Leistungs-, Wellenlängen- und Linsenkonfigurationen erhältlich. Zu den Anwendungen für die untermontierten Laser von SemiNex gehören OEM-Medizin, Verbrauchermedizin, LiDAR, militärisches Zielen, Entfernungsmessung und Beleuchtung. Kundenspezifische Wellenlängen und Konfigurationen auf Anfrage erhältlich.
Grin Lens f=274um wird verwendet, um die Divergenz der schnellen Achse an die Divergenz der langsamen Achse anzupassen.
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  • Wellenlänge: 1650 nm

  • Blende: 95 um

  • Modus: Multi-Modus

  • Kreuzung: Single

  • Hohlraumlänge: 2500 µm

  • Objektiv angepasst f=274um, 5mm Lg

Symbol Wert Einheiten
Optisch
Wellenlänge λc

nm(+/-20)
Ausgangsleistung (CW) Po

watts
Spektrale Breite Δλ

nm 3dB
Hohlraumlänge CL

μm
Verbindungstyp

Emitterhöhe H

μm
Temperatur Koeffizient Δλ/ΔλT

nm/C
Steigungseffizienz ηo

W/A
Slow Axis Divg. θ_parallel

deg FWHM
Fast Axis Divg. θ_perp

deg FWHM
Anzahl der Strahler

Impulsbreite PW

ns
Auslastungsgrad DC

%
Linseneffekt. Brennweite f

μm
Enthaltene Teiloption

Symbol Wert Einheiten
Elektrisch
Leistungsumwandlung Eff. η

Min
Betriebsstrom Iop

A
Betriebsspannung Vop

V
Serienwiderstand Rs

ohm
Fotodiodenstrom Im

mA
Symbol Wert Einheiten
Mechanisch
Bleilöttemp.

°C
Gewicht

g
Betriebstemperatur.

°C
Sonstiges
Spezifikationshinweise

Für den Versand in die USA und den größten Teil Europas ist keine Ausfuhrlizenz erforderlich. Für Lieferungen in andere Länder klicken Sie bitte auf diesen Hyperlink zu Verordnungsnummer 6A995.

SemiNex liefert die höchste verfügbare Leistung bei Infrarotwellenlängen zwischen 12xxnm und 16xxnm sowie 19xxnm bis 24xxnm. Bei Bedarf werden wir das Design unserer InP- oder GaSb-Laserchips weiter optimieren, um die spezifischen optischen und elektrischen Leistungsanforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Dioden, Stäbe und Gehäuse werden getestet, um die Leistungsanforderungen der Kunden und des Marktes zu erfüllen. Typische Ergebnisse und Verpackungsoptionen werden gezeigt. Kontaktieren Sie SemiNex für weitere Details oder um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen. Grins-Linse f=274um wird verwendet, um die Divergenz der schnellen Achse an die Divergenz der langsamen Achse anzupassen.
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Anwendungen

  • OEM Medizin
  • DPSS-Pumpenquelle
  • LiDAR
  • Militär / Luft- und Raumfahrt


    Merkmale

  • Kosteneffizient
  • Hohe Ausgangsleistung
  • Hoher Dynamikbereich
  • Hohe Effizienz
  • Standard-Low-Cost-Paket

  • Divergenz der schnellen Achse angepasst an die langsame Achse

  • de_DEDeutsch