TO-9 verpackte Laserdiode
$540.00
Die TO9-befestigten Laserdioden von SemiNex sind eine ausgezeichnete Wahl für Kunden, die hochmoderne Leistung in einem kostengünstigen Submount-Design suchen. Diese Laser werden über den InP-Wellenlängenbereich von 12xx bis 19xx angeboten und sind in einer Vielzahl von Leistungs-, Wellenlängen-, Kappen- und Linsenkonfigurationen erhältlich. Zu den Anwendungen für die untermontierten Laser von SemiNex gehören OEM-Medizin, Verbrauchermedizin, LiDAR, militärisches Zielen, Entfernungsmessung und Beleuchtung. Kundenspezifische Wellenlängen und Konfigurationen sind auf Anfrage erhältlich. Grin-Linse f=171um wird verwendet, um die Divergenz der schnellen Achse an die Divergenz der langsamen Achse anzupassen.
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Wellenlänge: 1550 nm
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Blende: 350 um
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Modus: Multi-Modus
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Kreuzung: Single
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Hohlraumlänge: 2500 µm
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TO-9 5,8 mm hohe Kappe, Objektiv angepasst f=171um, 5,0 mm Lg
| Symbol | Wert | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|---|
| Optisch | Impulsbreite 150 ns | Impulsbreite <10ns | ||
| Wellenlänge | λc | nm(+/-20) | ||
| Ausgangsleistung gepulst | Po | watts | ||
| Spektrale Breite | Δλ | nm 3dB | ||
| Hohlraumlänge | CL | μm | ||
| Verbindungstyp | ||||
| Emitterhöhe | H | μm | ||
| Temperatur Koeffizient | Δλ/ΔλT | nm/C | ||
| Steigungseffizienz | ηo | W/A | ||
| Slow Axis Divg. | θ_parallel | deg FWHM | ||
| Fast Axis Divg. | θ_perp | deg FWHM | ||
| Anzahl der Strahler | ||||
| Impulsbreite | PW | ns | ||
| Auslastungsgrad | DC | % | ||
| Linseneffekt. Brennweite | f | μm | ||
| Enthaltene Teiloption | TO-9 5,8 mm hohe Kappe, Objektiv angepasst f=171um, 5,0 mm Lg |
TO-9 5,8 mm hohe Kappe, Objektiv angepasst f=171um, 5,0 mm Lg |
| Symbol | Wert | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|---|
| Elektrisch | Impulsbreite 150 ns | Impulsbreite <10ns | ||
| Leistungsumwandlung Eff. | η | Min | ||
| Betriebsstrom | Iop | A | ||
| Betriebsspannung | Vop | V | ||
| Serienwiderstand | Rs | ohm |
| Symbol | Wert | Wert | Einheiten | |
|---|---|---|---|---|
| Mechanisch | Impulsbreite 150 ns | Impulsbreite <10ns | ||
| Bleilöttemp. | °C | |||
| Gewicht | g | |||
| Betriebstemperatur. | °C |
| Sonstiges | |
|---|---|
| Spezifikationshinweise | Die angegebenen Werte gelten für eine konstante Kühlkörpertemperatur von 20 °C. |
SemiNex liefert die höchste verfügbare Leistung bei Infrarotwellenlängen zwischen 12xx und 19xx nm. Bei Bedarf werden wir das Design unserer InP-Laserchips weiter optimieren, um die spezifischen optischen und elektrischen Leistungsanforderungen unserer Kunden zu erfüllen. Dioden, Stäbe und Gehäuse werden getestet, um die Leistungsanforderungen der Kunden und des Marktes zu erfüllen. Typische Ergebnisse und Verpackungsoptionen werden gezeigt. Kontaktieren Sie SemiNex für weitere Details oder um Ihre spezifischen Anforderungen zu besprechen. Grin-Linse f=171um wird verwendet, um die Divergenz der schnellen Achse an die Divergenz der langsamen Achse anzupassen.Klicken Sie hier, um das Produktinformationsblatt anzuzeigen
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