Monture C avec diode laser SemiNex
$771.00
Les diodes laser montées en C de SemiNex sont un excellent choix pour les clients qui recherchent des performances de pointe dans une conception de sous-montage à faible coût. Ces lasers sont fournis sur la plage de longueurs d'onde InP de 12xx à 19xx et sont disponibles dans une variété de configurations de puissance, de longueur d'onde et de lentilles. Les applications des lasers sous-montés de SemiNex incluent le médical OEM, le médical grand public, le LiDAR, le ciblage militaire, la télémétrie et l'éclairage. Longueurs d'onde et configurations personnalisées disponibles sur demande. Lentille Grin f = 274 um utilisée pour faire correspondre la divergence d'axe rapide à la divergence d'axe lent.
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Longueur d'onde : 1380 nm
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Ouverture : 95 um
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Mode : Mode multiple
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Jonction : Simple
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Longueur de la cavité : 2500 µm
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Objectif assorti f = 274 um, 5 mm Lg
symbole | Valeur | Unités | |
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Optique | |||
Longueur d'onde | λc | nm(+/-20) | |
Puissance de sortie (CW) | Po | watts | |
Largeur spectrale | Δλ | nm 3dB | |
Longueur de la cavité | CL | μm | |
Type de jonction | |||
Hauteur de l'émetteur | H | μm | |
Temp. Coefficient | Δλ/ΔλT | nm/C | |
Efficacité de la pente | ηo | W/A | |
Divg de l'axe lent. | θ_parallel | deg FWHM | |
Divg de l'axe rapide. | θ_perp | deg FWHM | |
Nombre d'émetteurs | |||
Largeur d'impulsion | PW | ns | |
Cycle de service | DC | % | |
Effet de l'objectif Distance focale | f | μm | |
Option de pièce incluse |
symbole | Valeur | Unités | |
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Électrique | |||
Conversion de puissance Eff. | η | Min | |
Courant de fonctionnement | Iop | A | |
Tension de fonctionnement | Vop | V | |
Résistance série | Rs | ohm |
symbole | Valeur | Unités | ||
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Mécanique | ||||
Temp de soudure au plomb. | °C | |||
Poids | g | |||
Exploitation temporaire. | °C |
Autre | |
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Notes de spécification | Les valeurs spécifiées sont évaluées à une température de dissipateur thermique constante de 20 °C. |
SemiNex fournit la puissance disponible la plus élevée à des longueurs d'onde infrarouges comprises entre 12xx et 19xx nm. Si nécessaire, nous optimiserons davantage la conception de nos puces laser InP pour répondre aux besoins de performances optiques et électriques spécifiques de nos clients. Les diodes, barres et boîtiers sont testés pour répondre aux exigences de performance des clients et du marché. Les résultats typiques et les options d'emballage sont affichés. Contactez SemiNex pour plus de détails ou pour discuter de vos besoins spécifiques. Lentille Grin f = 274um utilisée pour faire correspondre la divergence d'axe rapide à la divergence d'axe lent.Cliquez ici pour voir la fiche produit
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