Diode laser emballée TO-9
$245.00
SemiNex’s TO9 Mounted Laser Diodes are an excellent choice for customers seeking state-of-art performance in a low cost submount design. These lasers are provided across the InP wavelength range of 12xx to 19xx and come in a variety of power, wavelength, capped and lensed configurations. Applications for SemiNex’s sub mounted lasers include OEM medical, consumer medical, LiDAR, Military targeting, range finding and illumination. Custom wavelengths and configurations available upon request.Fast-axis reducing lens, 1:5
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Longueur d'onde : 1560 nm
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Ouverture : 50 um
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Mode : Mode multiple
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Jonction : Simple
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Longueur de la cavité : 2500 µm
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Lentille, FAR, 1:5, WD = 69um, Lg = 5mm
| symbole | Valeur | Valeur | Unités | |
|---|---|---|---|---|
| Optique | Largeur d'impulsion 150ns | Largeur d'impulsion <10ns | ||
| Longueur d'onde | λc | nm(+/-20) | ||
| Puissance de sortie pulsée | Po | watts | ||
| Largeur spectrale | Δλ | nm 3dB | ||
| Longueur de la cavité | CL | μm | ||
| Type de jonction | ||||
| Hauteur de l'émetteur | H | μm | ||
| Temp. Coefficient | Δλ/ΔλT | nm/C | ||
| Efficacité de la pente | ηo | W/A | ||
| Divg de l'axe lent. | θ_parallel | deg FWHM | ||
| Divg de l'axe rapide. | θ_perp | deg FWHM | ||
| Nombre d'émetteurs | ||||
| Largeur d'impulsion | PW | ns | ||
| Cycle de service | DC | % | ||
| Option de pièce incluse |
| symbole | Valeur | Valeur | Unités | |
|---|---|---|---|---|
| Électrique | Largeur d'impulsion 150ns | Largeur d'impulsion <10ns | ||
| Conversion de puissance Eff. | η | Min | ||
| Courant de fonctionnement | Iop | A | ||
| Tension de fonctionnement | Vop | V | ||
| Résistance série | Rs | ohm |
| symbole | Valeur | Valeur | Unités | |
|---|---|---|---|---|
| Mécanique | Largeur d'impulsion 150ns | Largeur d'impulsion <10ns | ||
| Temp de soudure au plomb. | °C | |||
| Poids | g | |||
| Exploitation temporaire. | °C |
| Autre | |
|---|---|
| Notes de spécification | Les valeurs spécifiées sont évaluées à une température de dissipateur thermique constante de 20 °C. |
SemiNex fournit la puissance disponible la plus élevée à des longueurs d'onde infrarouges comprises entre 12xx et 19xx nm. Si nécessaire, nous optimiserons davantage la conception de nos puces laser InP pour répondre aux besoins de performances optiques et électriques spécifiques de nos clients. Les diodes, barres et boîtiers sont testés pour répondre aux exigences de performance des clients et du marché. Les résultats typiques et les options d'emballage sont affichés. Contactez SemiNex pour plus de détails ou pour discuter de vos besoins spécifiques.Cliquez ici pour voir la fiche produit
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