SemiNexレーザーダイオードを備えたBマウント

$740.00

SKU: 55 部品番号:B-106-134

SemiNexのBマウントレーザーダイオードは、低コストのサブマウント設計で最先端のパフォーマンスを求めるお客様に最適です。これらのレーザーは、12xxnmから16xxnmのInP波長範囲と19xxnmから24xxnmのGaSb波長範囲で提供され、さまざまな出力、波長、レンズ構成で提供されます。 SemiNexのサブマウントレーザーのアプリケーションには、OEM医療、消費者医療、LiDAR、軍事ターゲティング、距離測定、照明などがあります。ご要望に応じて、カスタム波長と構成をご利用いただけます。
グリンレンズf = 274umは、高速軸の発散を低速軸の発散に一致させるために使用されます。
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  • 波長:1480 nm

  • 絞り:95 um

  • モード:マルチモード

  • ジャンクション:シングル

  • キャビティ長:2500 µm

  • レンズマッチングf = 274um、5mm Lg

シンボル 価値 単位
オプティカル
波長 λc

nm(+/-20)
出力電力(CW) Po

watts
スペクトル幅 Δλ

nm 3dB
キャビティの長さ CL

μm
ジャンクションタイプ

エミッターの高さ H

μm
温度係数 Δλ/ΔλT

nm/C
斜面効率 ηo

W/A
遅軸Divg。 θ_parallel

deg FWHM
高速軸Divg。 θ_perp

deg FWHM
エミッターの数

パルス幅 PW

ns
デューティサイクル DC

%
レンズ効果。焦点距離 f

μm
付属部品オプション

シンボル 価値 単位
電気
電力変換効率 η

Min
動作電流 Iop

A
動作電圧 Vop

V
直列抵抗 Rs

ohm
フォトダイオード電流 Im

mA
シンボル 価値 単位
機械的
鉛はんだ付け温度

°C
重さ

g
作動温度

°C
他の
仕様書

米国およびヨーロッパのほとんどへの出荷には、輸出許可は必要ありません。他の国への発送については、このハイパーリンクをクリックしてください。 規制番号6A995.

SemiNexは、12xxnm〜16xxnm、および19xxnm〜24xxnmの赤外線波長で利用可能な最高の電力を提供します。必要に応じて、InPまたはGaSbレーザーチップの設計をさらに最適化して、お客様の特定の光学的および電気的性能のニーズに対応します。ダイオード、バー、およびパッケージは、顧客および市場のパフォーマンス要求を満たすようにテストされています。典型的な結果とパッケージオプションが示されています。詳細について、または特定の要件については、SemiNexにお問い合わせください。GrinLensf= 274umは、高速軸の発散を低速軸の発散に一致させるために使用されます。
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アプリケーション

  • OEM医療
  • DPSSポンプソース
  • LiDAR
  • 軍事/航空宇宙


    特徴

  • 費用対効果
  • 高出力パワー
  • ハイダイナミックレンジ
  • 高効率
  • 標準の低コストパッケージ

  • 遅軸に一致する速軸発散

  • ja日本語