SemiNex presenta un módulo láser multichip de 25 vatios en 14xx y 15xx

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SemiNex Corporation
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SEMINEX PRESENTA EL MÓDULO LÁSER MULTICHIP DE 25 VATIOS EN 14XX Y 15XX

Peabody, MA, 15 de abril de 2010 - SemiNex Corporation presenta una familia de módulos de diodos láser multichip acoplados por fibra con una potencia de salida de hasta 25 vatios a longitudes de onda de 1470, 1532 y 1550 nm. El módulo de varios chips proporciona una solución lista para integrarse para aplicaciones médicas, militares / aeroespaciales, de comunicaciones y láser LIDAR que requieren de 10 a 25 vatios de potencia.

El módulo presenta una eficiencia de conversión de energía de 30% vatios / amperio, lo que reduce los requisitos del sistema eléctrico y térmico. Está configurado con 3 a 7 diodos cuya salida se combina en un haz de fibras y está equipado con un haz direccional de longitud de onda de 650 nm. Otras longitudes de onda infrarrojas en el rango de 1300 a 1600 nm están disponibles a pedido.