SemiNex Multi-Junction-Laser ermöglichen kostengünstige, effiziente LiDAR-Anwendungen mit großer Reichweite

SemiNex Corporation kündigt die Einführung einer zum Patent angemeldeten Mehrschicht-Halbleiterlaserdiode mit augensicheren Wellenlängen zwischen 1310 nm und 1550 nm mit mehr als 20-mal mehr Photonen/Sekunde und mehr als der 3-fachen Reichweite im Vergleich zu 905-nm-LiDAR-Systemen an Autofahrende Autos für den Massenmarkt endlich Realität werden. Die Multi-Junction-Laserdiode ist ein Drop-In-Ersatz für die meisten kompakten Lasertreiber, die für bestehende 9XX-nm-Diodensysteme verwendet werden. Die neue SemiNex Multi-Junction-Laserdiode verwendet 3 monolithische Festkörper-Laser-Junctions, die 80 Watt bei 1550 nm mit 95 µm Aperturbreite erzeugen und bei dieser Wellenlänge mehr als das Dreifache der Leistung aktueller Laserdioden liefern. Produktmuster sind sofort verfügbar und die Mehrfachverbindungsstelle ist für die sofortige Großserienproduktion bereit.

Typische Flugzeit-LiDAR-Systeme, die Multi-Junction-905-nm-Laser verwenden, sind aufgrund der augensicheren Emissionsgrenzwerte (AEL) der Vorschriften der International Electrotechnical Commission (IEC) auf eine Reichweite von 100 Metern beschränkt, wodurch ihre Verwendung auf Nischenanwendungen wie z B. private Sicherheitssysteme, Lagerautomatisierung und eingeschränkte öffentliche Fahrfunktionen. Der neue SemiNex Multi-Junction-Laser ermöglicht leistungsstarke, kostengünstigere und augensichere LiDAR-Lösungen mit größerer Reichweite für autonome Züge, Flugzeuge und Autos.

„SemiNex hat 3 Jahre in Forschung und Entwicklung investiert, um eine langfristige und kostengünstige Lösung zu schaffen, um die Kurzstreckenbeschränkungen bestehender Technologien zu überwinden. Wir sehen dies als großen Game Changer und glauben, dass es die Art und Weise, wie große LiDAR-Unternehmen diese Herausforderung angehen, revolutionieren wird“, sagte David Bean, CEO der SemiNex Corporation.

Die neue SemiNex Multi-Junction-Laserdiode ermöglicht augensicheren, autonomen LiDAR-Systemen eine Reichweite von mehr als 250 Metern ohne Kompromisse. Gegenwärtige Lösungen begrenzen die Sicht auf 100 Meter und erfordern eine Fahrzeuggeschwindigkeit von 25 mph oder weniger. In den letzten zehn Jahren haben LiDAR-Hersteller zwei Laseransätze für Time-of-Flight-LiDAR-Systeme verfolgt: 905-nm-Laserdioden oder 1550-nm-Faserlaser. Die 905-nm-Laserdioden haben aufgrund von Vorschriften zur Augensicherheit eine eingeschränkte Reichweite, und die 1550-nm-Faserlaser sind aufgrund ihrer Größe und Kosten für den Massenmarkt unpraktisch. Bisher gab es keine Lösung, die die kostengünstige, geringe Größe und Effizienz von 905-nm-Laserdioden mit der Augensicherheit und der erweiterten Reichweite von 1550-nm-Faserlasern bot.

Keiner dieser bisherigen Ansätze erfüllt die Ziele der Automobilindustrie, die Kommerzialisierung von LIDAR zu ermöglichen. Der Mangel an effizienten und kostengünstigen 200 Meter augensicheren LiDAR hat die Branche davon abgehalten, autonome Fahrzeuge zu kommerzialisieren und einen sinnvollen Massenmarkteinsatz bei Geschwindigkeiten von mehr als 40 km/h zu sehen. „Die SemiNex Multi-Junction-Laserdiode verändert alles“, sagt Ed McIntyre, SemiNex Director of Sales & Marketing. „Jetzt gibt es eine kostengünstige, augensichere Alternative mit großer Reichweite zu 9XX-nm-Dioden und 1550-nm-Faserlasern.“

Heute wird erwartet, dass der LiDAR-Markt für Automobil- und Industrieanwendungen $981 Millionen beträgt und auf Anwendungen mit kurzer Reichweite beschränkt ist. Mit technologischen Verbesserungen und einer breiteren Akzeptanz wird der Markt jedoch bis 2025 voraussichtlich auf 1 TP2T2,8 Milliarden wachsen. Eine große Herausforderung bei der bestehenden LiDAR-Technologie für autonome Fahrzeuge bestand darin, eine kostengünstige Halbleiter-Laserdiode zu finden, die bieten eine hohe Spitzenleistung bei augensicheren Wellenlängen für Anwendungen mit großer Reichweite. Der bei 1550 nm arbeitende SemiNex-Triple-Junction-Baustein bietet das Dreifache der Spitzenleistung eines einzelnen Emitters und verbessert so die Auflösung und Durchdringungseffektivität bei schlechtem Wetter und bleibt gleichzeitig augensicher. Es kann mit Pulsbreiten zwischen 2ns und 100ns bei 200kHz bis 400kHz Pulswiederholrate betrieben werden. SemiNex bietet Multi-Junction-Bauelemente zwischen 1310 nm und 1550 nm bei verschiedenen Öffnungsweiten und Kavitätenlängen an, um spezifische Kundenanforderungen zu erfüllen.

„Die SemiNex Multi-Junction-Laserdioden werden es Fahrzeugen ermöglichen, mit höheren Geschwindigkeiten autonom zu navigieren, die mit der bestehenden Technologie nicht erreicht werden können; Damit könnten fahrerlose Autos in den nächsten 5 Jahren endlich Realität werden“, so McIntyre.

Das Multi-Junction-Gerät ist in Double- und Triple-Junction-Konfigurationen in verschiedenen Gehäuse- und Submount-Konfigurationen erhältlich. Muster in TO-9- oder Bare-Die-Konfiguration bei 1550 nm sind sofort lieferbar.

Für weitere Informationen besuchen Sie www.seminex.com oder besuchen Sie uns auf der CIOE-Messe in Shenzhen, China, 11. SeptemberNS– 13NS Stand #2D80. Um ein Treffen mit Hanyu Yang, unserem Anwendungsingenieur, zu vereinbaren, klicken Sie auf Hier.

Über SemiNex Corporation:


SemiNex Corporation entwickelt und fertigt proprietäre Hochleistungs-Halbleiter-Infrarotlaserdioden-basierte Baugruppen und optische Verstärker für Automobil-LiDAR-, Militär-, Medizin- und Industrieanwendungen. Die Produkte von SemiNex basieren auf fortschrittlicher Quantenphysik und verwenden hochwertige Indiumphosphid- und Galliumantimonid-Materialien, die Wellenlängen zwischen 1250 nm und 1940 nm mit erstklassiger optischer Ausgangsleistung sowie überlegener thermischer und elektrischer Effizienz unterstützen. SemiNex Corporation passt seine Epitaxie-Designs und Geräteverpackungen an die individuellen Anforderungen seiner Kunden an.

SemiNex hat seinen Hauptsitz in den USA.

Erfahren Sie mehr unter www.seminex.com.

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an SemiNex Corporation unter sales@seminex.com.

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