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SemiNex Corporation gibt den neuen Vice President of Operations, Dennis Donahue, bekannt, um sein Geschäft mit Hochleistungslaserdioden der nächsten Generation auszubauen

31. Mai 2023: SemiNex Corporation (Danvers, MA), ein Hersteller von leistungsstarken Halbleiterlaserdiodengeräten und optischen Verstärkern, freut sich, die Ernennung von Dennis Donahue zum neuen Vice President of Operations bekannt zu geben. Herr Donahue bringt über 20 Jahre Erfahrung in den Bereichen Fertigungstechnik, Produktion, Qualitätssysteme, Lieferkettenmanagement und Innovation in das Unternehmen ein.

Dennis verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung komplexer Produkte für eine Vielzahl von Märkten, darunter Medizin, Biotechnologie, Luft- und Raumfahrt sowie industrielle Instrumentierung. Er ist ein versierter VP of Operations mit umfassendem Verständnis für den Betrieb in Reinraumumgebungen nach ISO 9001, FDA GMP und ISO-Klasse.

Zuvor war Herr Donahue als Vice President of Manufacturing Operations bei Innovations in Optics tätig, wo er einen Fertigungsbetrieb zur Herstellung, Prüfung und Verbesserung komplexer, ultraheller LED-Beleuchtungssysteme und elektronischer Treiber leitete.

Mit seiner umfangreichen Erfahrung in Management, Entwicklung und Betreuung von Mitarbeitern zur Schaffung einer Kultur der Qualitätsorientierung und kontinuierlichen Verbesserung ist Herr Donahue gut aufgestellt, um das Streben der SemiNex Corporation nach operativer Exzellenz voranzutreiben. Sein Fachwissen in der Entwicklung funktionsübergreifender Organisationsprozesse und der Anwendung fortschrittlicher Fertigungstechnologien wird entscheidend dazu beitragen, dass das Unternehmen seine Wachstumsziele erreicht.

„Wir freuen uns sehr, Dennis in unserem Team begrüßen zu dürfen“, sagte Ronald Moore, CEO der SemiNex Corporation. „Mit seiner Erfahrung und seinem Fachwissen sind wir zuversichtlich, dass Dennis unsere Produktionsabläufe im Einklang mit unserem unglaublichen Wachstum skalieren wird, um unsere ehrgeizigen Ziele in den Bereichen Qualität, Compliance und Einführung neuer Produkte zu erreichen.“

Kontakt:
Daniel Chu
Vizepräsident für Geschäftsentwicklung und Produktmanagement
+1 978-326-7702
dchu@seminex.com

Wir freuen uns, Ihnen mitteilen zu können, dass SemiNex zwei Präsentationen auf der SPIE Photonics West 2023 abhalten wird San Francisco, CA, USA in SPIE LASE am Sonntag, 29. Januar um 9:40 Uhr und um 11:20 Uhr. Diese Präsentationen, Hohe Zuverlässigkeit der 1550-nm-Triple-Junction-Laserdiode für Langstrecken-Automotive-LiDAR und Optischer Hochleistungs-Halbleiterverstärker und -Array für FMCW-LiDAR in autonomen Hochgeschwindigkeitsfahrzeugen, wird die technologischen und anwendungsbezogenen Erkenntnisse von Hochleistungs-Triple-Junction-Laserarrays und hochverstärkenden optischen Halbleiterverstärkern (SOA) erfassen.

Wir werden unsere patentierten Triple-Junction-Laserdioden- und Array-Technologien präsentieren, die Hunderte bis Kilowatt Laserleistung für fortschrittliche Entfernungsmesser, ToF und Flash LiDAR bereitstellen können. Die augensicheren 1350-nm- und 1550-nm-Triple Junction können ihr 905-nm-Pendant in Bezug auf Signal-Rausch-Verhältnis, Erkennungsfähigkeit und Reichweite leicht übertreffen. Unsere kostengünstige Laserdiodenlösung mit kleinem Formfaktor ist die beste Alternative zu einem sperrigen und teuren Faserlaser für autonome Fahrzeuge.

Unsere neuen SOA-Produkte bieten eine Ausgangsleistung mit hoher Verstärkung und hoher Sättigung, die FMCW-LiDAR mit großer Reichweite und kohärenter Erkennung ermöglichen kann. SemiNex arbeitet mit Ihnen an kundenspezifischen Designs individueller Verstärker oder Arrays, um die Anforderungen in Ihren integrierten Systemen zu erfüllen.

SemiNex lädt Sie ein, sich mit unseren Mitarbeitern zu treffen unter Stand #4712 von 31. Januar – 2. Februar.
Wenden Sie sich für Anfragen zu Produktangeboten, kundenspezifischen Designs und zukünftigen Projekten mit SemiNex sowie zur Vereinbarung eines Treffens mit uns bei SPIE an uns marketing@seminex.com oder +1-978-326-7708. Verfügbare persönliche SPIE-Meeting-Zeiten beginnen am 31. Januar und enden am 2. Februar. Einzelheiten zu den Triple-Junction-Laserdioden und SOAs sind verfügbar unter seminex.com/lidar/.

Der US-Entwickler von Laserdioden sagt, dass seine neuesten Geräte FMCW-LIDAR mit großer Reichweite und kohärenter Erkennung ermöglichen.

SemiNex, das auf langwellige Laserdioden spezialisierte Unternehmen mit Sitz in Massachusetts, erweitert sein Angebot an Optionen für LIDAR-Anwendungen in der Automobilindustrie um neue optische Halbleiterverstärker (SOAs), die für die frequenzmodulierte Dauerstrichtechnologie (FMCW) geeignet sind.

Die High-Gain-SOAs, die im Wellenlängenbereich von 1250–1650 nm verfügbar sind, sollen eine hohe Sättigungsausgangsleistung von 500 mW emittieren und somit eine FMCW-Leistung mit großer Reichweite und kohärenter Detektion ermöglichen.

„SemiNex kann mit Ihnen an kundenspezifischen Designs individueller Verstärker oder Arrays arbeiten, um die Anforderungen in Ihren integrierten Systemen zu erfüllen“, kündigte das Unternehmen auf der an LASER Welt der Photonik Veranstaltung in München.

Vorteile der Triple-Junction
Der Umzug zur Unterbringung FMCW-Designs, die komplexer als herkömmliche Zeitflug-Lidars sind, aber sowohl die Position als auch die Geschwindigkeit anderer Objekte auf der Straße messen können, folgt auf die Einführung von 1550-nm-Dioden mit Dreifachübergang für gepulste Systeme von SemiNex im vergangenen Jahr.

Daniel Chu, Vizepräsident für Marketing und Geschäftsentwicklung bei SemiNex, umriss die Technologie hinter den Triple-Junction-Geräten in einer Präsentation auf der LASER-Messe und sagte, das globale Patent des Unternehmens auf den Ansatz bedeute, dass es das einzige Unternehmen der Welt sei, das in der Lage sei, die Geräte herzustellen .

Aufgrund von Augenschutzbestimmungen, die die Menge an optischer Leistung begrenzen, die im 905-nm-Bereich eingesetzt werden kann, bieten Lidars mit längerer Wellenlänge ein viel größeres „Photonenbudget“ – und ermöglichen so die Art von Langstreckenleistung, die für sich schnell bewegende autonome Fahrzeuge erforderlich ist .

Da die längerwelligen Emitter unter Verwendung eines Indiumphosphid-Materials hergestellt werden, sind sie typischerweise viel teurer als 905-nm-Vorrichtungen. SemiNex wies jedoch darauf hin, dass die Triple-Junction-Chips bei einer Produktion in großen Mengen mit den von der Automobilindustrie angestrebten Preispunkten kompatibel wären.

Effizienzgewinne
Chu erläuterte die „bahnbrechenden“ Eigenschaften eines Triple-Junction-Emitters im Vergleich zu einem einzelnen 905-nm-Chip, wobei das 1550-nm-Gerät eine weitaus höhere Impulsenergie, eine größere Zielreichweite und ein hervorragendes Signal-Rausch-Verhältnis bietet.

Das epitaxiale Design von SemiNex basiert auf drei aktiven Regionen und zwei Tunnelübergängen, die eine Ausgangsleistung von bis zu 100 W aus einer 350-µm-Apertur und einen deutlich höheren Wallplug-Wirkungsgrad als ein Gerät mit einem einzigen Übergang erzeugen.

Während die Verwendung von drei Übergängen die dreifache optische Leistung eines Single-Junction-Designs erzeugt, erhöht sich die Spannung des Geräts nur um 50 Prozent – was bedeutet, dass der elektrische Wirkungsgrad verdoppelt wird.

„Für die Flugzeit [Lidar] übertreffen 1550 nm 905 nm in jeder Kategorie“, sagte Chu und fügte hinzu, dass ein Array der Triple-Junction-Emitter eine optische Spitzenausgangsleistung von mehr als einem Kilowatt für Flash-Lidar-Systeme liefern könnte, wenn erforderlich.

Ed McIntyre, VP of Sales von Chu und SemiNex, gab an, dass mehrere Kunden derzeit Triple-Junction-Dioden und High-Gain-SOAs testen, wobei Muster eines neuen SOA diesen Sommer verfügbar sein sollen.

Die beiden fügten hinzu, dass sie nicht erwartet hätten, dass sich die LIDAR-Branche auf eine „einzige Lösung“ für Automobilanwendungen konvergieren würde, was darauf hindeutet, dass es weiterhin einen Platz für Time-of-Flight-, Flash- und FMCW-Ansätze geben würde, an denen die Automobilhersteller arbeiten Finden Sie heraus, wie Sie LIDAR am besten mit anderen Sensoren wie Radar und Kameras in Sensorfusionssystemen für verschiedene Fahrzeugtypen kombinieren können.

Liebe Kunden und Freunde:

Sie sind herzlich eingeladen, sich mit SemiNex-Mitarbeitern unter zu treffen Verkaufsstand B4.517 auf der Laser World of Photonics 2022, abgehalten in München, Deutschland 26. bis 29. April. Wir freuen uns, Ihnen unsere patentierte Triple-Junction-Laserdiode und unser Array vorzustellen, die Hunderte bis Kilowatt Laserleistung für fortschrittliche Entfernungsmesser, ToF und Flash LiDAR bereitstellen können. Die augensicheren 1350-nm- und 1550-nm-Triple Junction können ihr 905-nm-Pendant in Bezug auf Signal-Rausch-Verhältnis, Erkennungsfähigkeit und Reichweite leicht übertreffen. Unsere kostengünstige Laserdiodenlösung mit kleinem Formfaktor ist die beste Alternative zu einem sperrigen und teuren Faserlaser für autonome Fahrzeuge.

Auf der Messe werden wir auch unseren neuen Semiconductor Optical Amplifier (SOA) mit hoher Verstärkung und hoher Sättigungsausgangsleistung vorstellen, der FMCW-LiDAR mit großer Reichweite und kohärenter Erkennung ermöglichen kann. SemiNex kann mit Ihnen an kundenspezifischen Designs individueller Verstärker oder Arrays arbeiten, um die Anforderungen in Ihren integrierten Systemen zu erfüllen.

Um die technologischen und anwendungsbezogenen Erkenntnisse von Hochleistungs-Triple-Junction-Laserarrays und High-Gain-SOA zu erfassen, können Sie zu dem Vortrag von Dr. Daniel Chu kommen Forum Laser und Optik, B4.134, am Mittwoch, 27. April, um 13:40 Uhr.

Um auf der Messe ein persönliches Gespräch über die Produktangebote von SemiNex zu führen, können Sie einen Termin vereinbaren, indem Sie Ed McIntyre unter kontaktieren emcintyre@seminex.com oder +1-978-326-7703. Details zu den Triple-Junction-Laserdioden finden Sie unter seminex.com/triple-junction/.

03.03.2022

Auf der Photonics West 2022 in San Francisco stellte Dr. Sidi Aboujja von SemiNex Corporation die vor
technische Details und Gesamtleistung der neuen 1550-nm-Triple-Junction-Laserdioden für LiDAR mit großer Reichweite. Das Präsentationsvideo kann unten angesehen werden.

In seinem Vortrag stellte Dr. Aboujja die im Handel erhältlichen Triple-Junction-Laserdioden vor, die mit einer Erhöhung der Betriebsspannung um lediglich 50% die dreifache optische Leistung einer Single-Junction erreichen können. Ein solches fortschrittliches Design ermöglicht eine 2-mal höhere Effizienz des Wandsteckers gegenüber einer Laserdiode mit einem einzigen Übergang. Die hohe Leistung des Triple Junction mit augensicheren 1550 nm über einen weiten Temperaturbereich ermöglicht ein LiDAR-Design für die Automobilindustrie mit kleinerem Platzbedarf und geringeren Kosten. Eine Benchmark-Studie im Vergleich zu einem 905-nm-Pendant zeigt, dass ein LiDAR mit einer Triple-Junction-Laserdiode bei 1550 nm 80-mal mehr Photonen erzeugen, ein 60-mal höheres Signal-Rausch-Verhältnis, eine 24-mal höhere Erkennungswahrscheinlichkeit und eine 3-mal größere Entfernung erreichen kann. Dieser bahnbrechende Dreifachübergang bei 1550-nm-Diodenlasern von SemiNex ermöglicht es der LiDAR-Industrie, mit einer einzigen kostengünstigen Laserdiode über 250 m Erkennungsentfernung zu blicken, und eröffnet eine ganze Reihe von Langstreckenanwendungen, einschließlich autonomer Hochgeschwindigkeitsfahrzeuge.

Details zu den Triple-Junction-Laserdioden finden Sie unter www.seminex.com. Für weitere Informationen und Produktverfügbarkeit kontaktieren Sie sales@seminex.com.

11.29.2021

09.2021

SemiNex Corporation wird vom ^16. bis 18. September bei CIOE ^(23. China International Optoelectronic Exposition) in Shenzhen sein ^th mit regionalen Kunden zu verbinden und neue Anwendungen unterstützen. Vorgestellt werden Innovationen von Hochleistungslaserdioden von 1250 nm bis 1940 nm für LiDAR-, militärische, medizinische und industrielle Anwendungen.

Zu den Highlights bei CIOE gehören:

• 1550-nm-Triple-Junction-Laserdiode für LiDAR- und Entfernungsmesser mit großer Reichweite : Die zum Patent angemeldete Multi-Junction-Halbleiterlaserdiode bei augensicheren Wellenlängen kann 80-mal mehr Photonen als 905 nm von einem LiDAR-Emitter erzeugen und erreicht eine 3-mal längere Detektionsentfernung und 24-mal höhere Erkennungsleistung.

• 1940-nm-Gallium-Antimonid-(GaSb) -Laserdiode: SemiNex-Hochleistungs-GaSb-Laserdioden bieten 50% mehr Leistung als vergleichbare Diodenlaser auf dem heutigen Markt für medizinische, Materialbearbeitungs- und Sensoranwendungen.
• 1450-nm-Lasermotoren für Heimkosmetik : Dies ist eine kostengünstige Lösung zur Faltenentfernung und Hautverjüngung. Sein kleiner Formfaktor und seine leistungsstarke Lichtleistung ermöglichen Lösungen für den Heimgebrauch im Handheld-Design.

• Laserdioden und Gehäuse: SemiNex bietet verschiedene Laserwellenlängen, Aperturgrößen, Resonatorlängen und Gehäuse für die Freiheit des technischen Designs. Zu den Paketoptionen gehören Chip-on-Carrier, B/C-Mounts, TO-Cans mit FAC (Fast-Axis Collimating)-Linse und verschiedene Fasermodule und -systeme.

„Wir freuen uns, an CIOE teilzunehmen und unser breites Portfolio mit erstklassigen Produkten zu präsentieren.“ sagt Herr David Bean, der CEO und Gründer von SemiNex. „Unser lokales Büro in Nordchina (Liaoning) bietet zeitnahen Produkt- und Anwendungssupport für Kunden in China und im asiatisch-pazifischen Raum.“

„Um mehr über unser Laserdioden-Portfolio zu erfahren, besuchen Sie unsere Stand 2T006 in Halle 2.“ sagt Frau Hanyu Yang, Vertriebs- und Anwendungsingenieurin bei SemiNex. „Ich freue mich darauf, mit unseren Kunden an verschiedenen Projekten und Anwendungen zusammenzuarbeiten.“ Sie ist auch erreichbar unter hyang@seminex.com, Tel/WeChat: 15641953339.

SemiNex begrüßt Daniel Chu mit den besten Laserdioden-Technologien 

SemiNex freut sich, die Einstellung von Daniel Chu bekannt zu geben, um das Geschäftswachstum im gesamten SemiNex-Portfolio von Hochleistungs-InP- und GaSb-Halbleiterlasern für LiDAR-, Medizin-, Militär- und Industriemärkte voranzutreiben. Daniel wurde als Laserphysiker an der Northwestern University mit Doktortitel ausgebildet und verfügt über umfangreiche Erfahrung in Produktmanagement, Anwendungstechnik und Unternehmensgründung. Daniels Karriere umfasst über 25 Jahre in der Laser- und Optikbranche mit Stationen bei weltbekannten Unternehmen wie OSRAM und SDL Inc.   

Daniel bringt seine technische Laserexpertise und Markterfahrung ein, um Kunden bei der Entwicklung von erstklassigen Lasersystemen zu unterstützen. Daniel leitet beispielsweise das kommerzielle Team von SemiNex bei der Unterstützung von Kunden bei der Verfolgung von LiDAR mit großer Reichweite mit zum Patent angemeldeten Triple-Junction-Laserdioden. Diese neue Technologie bei augensicheren 1550 nm ermöglicht es LiDAR-Herstellern, im Vergleich zu einem 905-nm-Emitter die 3-fache Entfernung und die 24-fache Erkennungswahrscheinlichkeit zu erreichen. Daniel hat einen Benchmark-Rechner basierend auf der LiDAR-Physik entwickelt, um die Zielleistung für autonome Hochgeschwindigkeitsfahrzeuge zu liefern, und arbeitet direkt mit LIDAR-Kunden zusammen, um ihre LIDAR-Designs sowohl in Bezug auf Leistung als auch Kosten zu optimieren.  

„Daniel verfügt über fundierte Kenntnisse im Bereich Halbleiterlaser und umfangreiche Erfahrung in der Photonikbranche. Er wird unseren Kunden technischen Support und Service auf höchstem Niveau für Design Wins bieten.“ sagt Herr David Bean, CEO und Gründer der SemiNex Corporation.  

„Es ist eine aufregende Zeit, SemiNex beizutreten“, kommentiert Daniel, „da wir nicht nur die leistungsstärkste 1550-nm-Laserdiode für ToF-LiDAR haben, sondern auch SOAs für FMCW-LiDAR und GaSb-40-nm-Laser für medizinische und viele andere Anwendungen. Wir bieten beispiellose Leistung, die kein anderer kann.“ Daniel fährt fort: „Ich freue mich darauf, mit unseren Kunden zusammenzuarbeiten, um unsere besten Produktangebote als kosteneffektive Lösungen zu entwickeln.“  

Neben der Arbeit im SemiNex-Büro in der Nähe von Boston wird Daniel auch eng mit Kunden im asiatisch-pazifischen Raum zusammenarbeiten, wo SemiNex 2020 ein Regionalbüro in der chinesischen Stadt Liaoyang eröffnet hat. Neben Englisch spricht Daniel fließend Mandarin und versteht gut Kantonesisch und Taiwanesisch. Um mehr über die Fähigkeiten und das Produktangebot von SemiNex zu erfahren, kontaktieren Sie Daniel unter +1 978-326-7702 und dchu@seminex.com.  

Erhöht die Leistung um mehr als 50 Prozent gegenüber vergleichbaren Lasern auf dem Markt

Peabody, MA – 16. Dezember 2020 – SemiNex kündigt seine neuen Gallium-Antimonid (GaSb)-Laser im Bereich 1900-2400 nm an, die 50% mehr Leistung bieten als vergleichbare Laser auf dem heutigen Markt. Die neuen GaSb-Laserdioden erreichen eine hohe Leistung unter Verwendung einer GaInAsSb/AlGaAsSb-verspannten QW-Wellenleitertechnik, die durch Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaSb-Substraten aufgewachsen wird. Die 1940-nm-Laserdiode von SemiNex weist eine hohe optische Leistung von 1,5 W und eine niedrige Schwellenstromdichte von weniger als 100 A/cm2 bei Raumtemperatur unter Dauerstrichbedingungen (CW) auf. GaSb-Laserdioden sind in den Bereichen Medizin, Materialbearbeitung und Gassensorik weit verbreitet.

„Die Einführung dieser neuen 1940-nm-Laserdiode wird unsere Kunden in den Bereichen Medizin, Materialbearbeitung und Gassensorik mit Dioden mit höherer Leistung unterstützen, die kleinere, effizientere und effektivere Lasersysteme ermöglichen“, sagt Ed McIntyre, VP of Business Development bei SemiNex .  

Medizinische Anwendungen

Laser mit einer Wellenlänge von 1900-2400 nm spielen eine entscheidende Rolle bei fortgeschrittenen medizinischen Verfahren wie Krampfadern, Tonsillektomien und Gehirnoperationen.

Bei einem Krampfadereingriff wird das Laserlicht in einer genauen Zieltiefe im Gewebe absorbiert, um die Vene schnell und schmerzfrei von innen zu verschließen. Dies ermöglicht eine kürzere Operationszeit mit begrenzter Narbenbildung.

Bei einer Tonsillektomie schneiden Laserdioden mit einer Wellenlänge von 1940 nm das Gewebe mit weniger Schmerzen und erhöhter Wirksamkeit im Vergleich zu anderen Methoden wie der Elektrokauterisation. 1940-nm-Laser haben den doppelten Absorptionskoeffizienten eines 1470-nm-Lasers und den 100-fachen des eines 980-nm-Lasers; Dies trägt dazu bei, die Massenansammlung von Blut bei Verfahren wie der Neurochirurgie zu verhindern. Bei einer Gehirnoperation sind 1940-nm-Laser in der Lage, Gewebe zu verdampfen und zu koagulieren, was dazu beiträgt, weiteren Blutverlust zu verhindern und die Reparatur von beschädigtem Gewebe zu beschleunigen.      

In der Zahnheilkunde werden GaSb-Laser anstelle von Röntgenaufnahmen verwendet, um Läsionen an Zähnen zu erkennen, die als Grübchen und Fissuren auftreten, Anzeichen für einen frühen okklusalen Karies. Diese frühe Entdeckung durch den Laser verhindert die Notwendigkeit einer Operation.   

Materialbearbeitung

Im 2µm-Bereich hergestellte Laser finden Anwendung in industriellen Anwendungen wie dem Schweißen von transparenten Kunststoffen. GaSb-Laserschweißgeräte ermöglichen das Schweißen dieser Kunststoffe, indem sie 1940 nm Licht fokussieren, das stark von CH-Bindungen im Polymer absorbiert wird. Viele transparente Kunststoffe haben Gemeinsamkeiten; Diese Kunststoffe können durch Laserlicht im Bereich von 1940-2400 nm ausreichend absorbiert werden, was eine direkte Bearbeitung mit den Lasern ermöglicht. Im Vergleich zu Lasern, die mit 1 µm arbeiten, kann die Absorption nur durch Zusätze zum Material erreicht werden, was zu einem komplexeren Prozess führt. Weitere Anwendungen für die Materialbearbeitung im 1940-nm-Bereich sind die Verarbeitung und Herstellung von biofluidischen Chips, die für biologische und medizinische Massenscreening-Experimente verwendet werden.

„Unsere GaSb-Laser-Didoos im Bereich von 1900 bis 2400 nm unterstützen Unternehmen in den Bereichen Medizin, Materialbearbeitung und Gassensorik. Wir freuen uns, unseren Kunden für medizinische Systeme die Entwicklung von Systemen mit höherer Leistung zu ermöglichen, die die Erholungszeiten verbessern und Schwellungen und Narben mit leistungsfähigeren Laserkomponenten minimieren. Wir freuen uns auch darauf, die Leistung bei Kunststoffschweiß- und Gassensoranwendungen zu verbessern, indem wir höhere Leistungen und Effizienz bei gleichzeitiger Reduzierung der Systemgröße und -kosten ermöglichen“, sagt David Bean, CEO der SemiNex Corporation.

Gassensorik

Laser mit einem Spektralbereich von 1900 bis 2400 nm können atmosphärische Gase wie H . erkennen₂O, CO₂ und N₂O. Ammoniak kann durch das Lasersystem nachgewiesen werden, indem die spezifische Absorption des Gases bei einer bestimmten Wellenlänge ausgenutzt wird. Das rückgestreute Licht bei dieser Wellenlänge wird mit dem Pegel des zurückgestreuten Lichts bei einer anderen Wellenlänge verglichen, um die Anwesenheit des interessierenden Gases zu bestätigen, während andere potentielle Verunreinigungen eliminiert werden.

SemiNex GaSb-Laserdioden bei 1940 nm sind als Bare-Chips und in TO9-Can-Gehäusen sofort lieferbar. Andere Pakete bei 1940 nm sind auf Anfrage mit angemessenen Vorlaufzeiten erhältlich. Kundenwellenlängen von 1900-2400nm sind auf Anfrage erhältlich. Weitere Informationen erhalten Sie von SemiNex oder Ihrem nächstgelegenen SemiNex-Händler.