SemiNex Corporation SemiNex stellt neues 50-W-Hochleistungs-1470-nm-Multi-Chip-Modulpaket vor

26. Januar 2024

Danvers, MA – 26. Januar 2024: SemiNex freut sich, das High-Power-Multi-Chip-Modul (MCM) vorzustellen. Dieses XCM-Lasermodul ist ein hochmodernes MCM mit einem beeindruckenden 50-W-Hochleistungspaket bei 1470 nm, das für unübertroffene Leistung ausgelegt ist.

Mit einer Spitzenleistung von 72,8 W und der Möglichkeit, 55 W bei 12 A zu erreichen, bietet es die beste Leistung bei Hochleistungsanwendungen. Das XCM ist die ideale Wahl für Branchenprofis, die Hochleistungsgeräte mit hoher Leistung für professionelle Anwendungen in den Bereichen Medizin, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Industrie suchen.

Die optische Ausgangsleistung von 50 W und die elektrische Leistungskapazität von 220 W machen den XCM zu einem Kraftpaket in Sachen Präzisionssteuerung. Der Betrieb mit einem Antriebsstrom von 10 A und einer Antriebsspannung von 22 V sorgt für eine außergewöhnliche Effizienz. Zu den weiteren Hauptmerkmalen gehören eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Hitzebelastung, ein abnehmbarer Faserkern und optionale Funktionen wie eine Fotodiode (PD) und ein Thermistor zur weiteren Verbesserung von Leistung und Funktionalität.

Prototypen stehen jetzt zur Evaluierung zur Verfügung. Bei Fragen oder um mehr über das XCM zu erfahren, wenden Sie sich bitte an marketing@seminex.com.

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Daniel Chu

Vizepräsident für Geschäftsentwicklung und Produktmanagement
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SemiNex Corporation begrüßt Maggie Wu als Regionaldirektorin für die Expansion im Großraum China

Danvers, MA, 1. November 2023 – SemiNex Corporation, ein anerkannter Marktführer für Hochleistungslasermodule und optische Verstärker für verschiedene Bereiche, darunter Automobil-LiDAR, Unterhaltungselektronik, medizinische Ästhetik, Datenkommunikation und industrielle Sensorik, gibt stolz die Ernennung von bekannt Maggie Wu wird Regionaldirektorin für die Vertriebsaktivitäten im Großraum China, zu dem Taiwan, Hongkong und Macao gehören.

Maggie bringt mehr als zwei Jahrzehnte herausragende Erfahrung im Vertrieb und in der Geschäftsentwicklung in der Halbleiter- und Telekommunikationsbranche mit und kann die schwierigen Herausforderungen der SemiNex-Kunden schnell erkennen und lösen. In ihrer neuen Funktion als Regionaldirektorin für den Großraum China wird Maggie maßgeblich an der Erweiterung der Vertriebskanäle und der damit verbundenen Unterstützung für die Hochleistungslaserdioden, Lasermodule und SOAs des Unternehmens beteiligt sein, die alle für ihre außergewöhnliche Leistung, Effizienz und Zuverlässigkeit bekannt sind Zuverlässigkeit.

„Wir freuen uns außerordentlich, dass Maggie unsere Geschäftsentwicklungsbemühungen im Großraum China anführt. Ihre Ernennung in dieser neuen Rolle bekräftigt unser Engagement für unsere strategischen Wachstumsambitionen in China.“ sagte Ronald Moore, Präsident der SemiNex Corporation. „Ihre Erfahrung in Kombination mit unserer Produktdifferenzierung wird zweifellos die Reichweite der hochmodernen Lösungen von SemiNex auf mehr OEMs in der Region erweitern, insbesondere in medizinischen und Automobil-Sensoranwendungen, bei denen Leistung von größter Bedeutung ist.“

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SemiNex Corporation ernennt Stefano Aina zum Chief Commercial Officer für die europäische Expansion

Danvers, MA, 4. Oktober 2023 – SemiNex Corporation, ein anerkannter Marktführer für Hochleistungslasermodule und optische Verstärker für Automotive-LiDAR, Datenkommunikation, medizinische Ästhetik und industrielle Sensorik, gibt stolz die Ernennung von Stefano Aina zum Chief bekannt Kaufmännischer Leiter für die europäischen Vertriebsaktivitäten.


Mit über 25 Jahren herausragender Erfahrung in den Bereichen Photonik, Halbleiter und Telekommunikation bringt Stefano Aina eine einzigartige Mischung aus Führungsqualitäten und technischem Scharfsinn mit. Seine Karriere umfasst Vertrieb und Dienstleistungen, Betrieb sowie Forschung und Entwicklung. In seiner neuen Rolle als Chief Commercial Officer für Europa wird Stefano maßgeblich zum Aufbau der Präsenz der SemiNex Corporation auf dem europäischen Markt beitragen. Die Hochleistungslaserdioden und SOAs des Unternehmens, die für ihre außergewöhnliche Leistung und Effizienz bekannt sind, könnten Anwendungen in mehreren Branchen revolutionieren.


„Die Ernennung von Stefano Aina zum Chief Commercial Officer unterstreicht das Engagement des Unternehmens für Exzellenz, Innovation und unser strategisches Wachstum in Europa.“ sagte Ronald Moore, Präsident der SemiNex Corporation. „Stefano Ainas Führungsrolle in Kombination mit unserer Produktdifferenzierung wird zweifellos die Reichweite der hochmodernen Lösungen von SemiNex auf mehr europäische OEMs erweitern und ihnen letztendlich ermöglichen, mehr Marktanteile zu gewinnen.“

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SemiNex Corporation wählt RPMC Lasers als exklusiven Distributor von fasergekoppelten Hochleistungslasermodulen in Nordamerika

Danvers, MA – 23. August 2023: SemiNex Corporation, ein führender Hersteller von leistungsstarken Halbleiterlaserdiodengeräten und optischen Verstärkern, freut sich, seine Partnerschaft mit RPMC Lasers, dem größten Laserhändler in Nordamerika, bekannt zu geben. RPMC Lasers wird als exklusiver Distributor für die Hochleistungslaserdiodenmodule der nächsten Generation von SemiNex in den Märkten Automobil, Industriesensorik und Medizin fungieren und technologieführende OEMs beliefern.


RPMC Lasers ist für sein umfassendes Angebot an Laserdioden bekannt und bietet eine umfangreiche Auswahl an Wellenlängen und Verpackungsoptionen. Diese Zusammenarbeit ermöglicht es RPMC, sein Portfolio um leistungsstarke Indiumphosphid (InP)-Laserdiodenmodule zu erweitern, die für ihre außergewöhnliche thermische und elektrische Effizienz bekannt sind. Diese Eigenschaften machen sie zur idealen Wahl für anspruchsvolle Anwendungen, wie beispielsweise LiDAR-Systeme im Automobilbereich.


Mit dieser strategischen Partnerschaft möchte SemiNex die umfangreiche Erfahrung, das fundierte Anwendungswissen und das engagierte Kundendienstteam von RPMC Laser nutzen, um seinem schnell wachsenden Kundenstamm außergewöhnlichen Support zu bieten.


„Für SemiNex war es wirklich wichtig, dass unser nordamerikanischer Partner angemessen groß und gut etabliert ist und über die technische Kompetenz verfügt, unsere Technologien in allen unseren verschiedenen Marktsegmenten zu unterstützen“, sagte Ronald Moore, Präsident der SemiNex Corporation. „Darüber hinaus sind wir davon überzeugt, dass RPMC unserer Vision entspricht, starke Kundenbeziehungen aufzubauen, unser hohes Maß an Kundenzufriedenheit aufrechtzuerhalten und einen enormen Mehrwert zu schaffen, indem wir die schwierigsten technischen Hindernisse unserer Kunden effektiv angehen – und ihnen letztendlich dabei helfen, Marktanteile zu gewinnen.“

SemiNex wurde 2003 gegründet und hat seinen Hauptsitz in den USA.

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SemiNex gewinnt den Laser Focus World Innovators Award 2023

Die leistungsstarken SOAs und SOA-Arrays der SemiNex Corporation wurden bei den Laser Focus Innovator's Awards 2023 als die besten ausgezeichnet

Danvers, MA – 1. August 2023: SemiNex Corporation, ein führender Hersteller von leistungsstarken Halbleiterlaserdioden-basierten Geräten und optischen Verstärkern, freut sich heute bekannt geben zu können, dass seine optischen Halbleiterverstärker und SOA-Arrays von der anerkannt wurden 2023 Laser Focus World Innovators Awards.

Eine angesehene und erfahrene Jury aus der Optik- und Photonik-Community zeichnete die SemiNex Corporation als diesjährigen Preisträger aus. „Im Namen der Laser Focus World Innovators Awards möchte ich der SemiNex Corporation zu ihrer Bronze-Auszeichnung gratulieren“, sagte Peter Fretty, Herausgeber der Laser Focus World Group. Mit dem Bronze-Level wird eine Innovation gewürdigt, die zu einer Verbesserung gegenüber zuvor eingesetzten Methoden, Ansätzen oder verwendeten Produkten/Systemen geführt hat. „Dieses Wettbewerbsprogramm ermöglicht es Laser Focus World, die innovativsten Produkte zu feiern und anzuerkennen, die sich in diesem Jahr auf die Photonik-Community auswirken.“

„Wir freuen uns sehr, dass Laser Focus World Innovators den Nutzen unserer erstklassigen Verstärkungsfähigkeiten erkennt, die individuell auf einzigartige Anwendungen und Anforderungen zugeschnitten werden können. Unsere SOAs bieten höchste Vielseitigkeit in Bezug auf Verstärkung, Bandbreite und Spektralbereich“, sagte Ronald Moore, Präsident der SemiNex Corporation. „Unsere optischen Verstärkungstechnologien lassen sich nahtlos in bestehende optische Systeme integrieren und bringen gleichzeitig die Projekte unserer Kunden auf eine viel höhere Leistung – was bahnbrechend sein könnte.“

Über SemiNex Corporation

SemiNex Corporation entwickelt und fertigt proprietäre Hochleistungs-Halbleiter-Infrarotlaserdioden-basierte Baugruppen und optische Verstärker für Automobil-LiDAR-, Militär-, Medizin- und Industrieanwendungen. Die Produkte von SemiNex basieren auf fortschrittlicher Quantenphysik und verwenden hochwertige Indiumphosphid- und Galliumantimonid-Materialien. Sie unterstützen Wellenlängen zwischen 1250 nm und 2400 nm mit erstklassiger optischer Ausgangsleistung sowie überlegener thermischer und elektrischer Effizienz. Darüber hinaus passt die SemiNex Corporation ihre Epitaxie-Designs und Geräteverpackungen individuell an die individuellen Anforderungen ihrer Kunden an.

Erfahren Sie mehr: LFW 2023 Innovator's Award – SemiNex SOA und SOA Array

SemiNex wurde 2003 gegründet und hat seinen Hauptsitz in den USA. 

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SemiNex nimmt an der Laser World of Photonics China 2023 teil

Besuchen Sie den SemiNex-Stand #8.1E332 auf der Laser World of Photonics in Shanghai, China 11. Juli bis 13. Juli 2023. Wir freuen uns, Ihnen unsere optischen Halbleiterverstärker (SOAs) mit hoher Verstärkung und hoher Sättigungsausgangsleistung vorzustellen. Unsere SOAs ermöglichen FMCW-LiDAR mit großer Reichweite und kohärenter Erkennung. Kundenspezifische Designs für einzelne Verstärker oder Arrays sowie verpackte Geräte können jetzt erstellt werden, um die Anforderungen Ihrer integrierten Systeme zu erfüllen.

Auf der WOP China werden wir die Verfügbarkeit unserer neuesten Hochleistungs-DFB- und SOA-Butterfly-Faserpakete bekannt geben. Die neuen Hochleistungs-DFB-Laserdioden werden sowohl im C-Band als auch im O-Band angeboten und können höchste optische Leistung und Gesamtleistung liefern. In Kombination mit unserem Hochleistungs-SOA können sie eine überlegene Erkennungsreichweite für LiDAR oder eine überlegene Übertragungsentfernung für optische Kommunikations- und Rechenzentrumsanwendungen erreichen. Für DFB-Mehrkanal- und Mehrwellenlängen-Arrays sind jetzt individuelle Anfragen möglich.

Außerdem werden unsere patentierten Triple-Junction-Laserdioden und -Arrays ausgestellt, die Hunderte Kilowatt Laserleistung für zivile LiDAR-Anwendungen liefern können. Der Triple Junction übertrifft seine 905-nm-Gegenstücke in Bezug auf Signal-Rausch-Verhältnis, Erkennungsfähigkeit und Reichweite bei augensicheren Wellenlängen, 1350 nm und 1550 nm. Unsere kompakte und kostengünstige Laserdiodenlösung ist die beste Alternative zu sperrigen und teuren Faserlasern für LiDAR im Automobilbereich.

Kontakt dchu@seminex.com oder +1-978-326-7702, um sich über Produktangebote, kundenspezifische Designs und zukünftige Projekte mit SemiNex zu erkundigen und ein Treffen mit uns auf der WOP China zu vereinbaren. Die verfügbaren WOP-Treffenzeiten in China beginnen am 11. Juli und enden am 13. Juli. Weitere Informationen finden Sie auf unserer Website seminex.com.

Besuchen Sie SemiNex auf der Laser World of Photonics in München 2023


SemiNex wird ab 2023 an der Laser World of Photonics in München teilnehmen  27. bis 30. Juni. Sie können sich mit SemiNex-Mitarbeitern unter treffen Stand #A2.503. Wir freuen uns, Ihnen unsere optischen Halbleiterverstärker (SOAs) mit hoher Verstärkung und hoher Sättigungsausgangsleistung vorzustellen, die FMCW-LiDAR mit großer Reichweite und kohärenter Erkennung ermöglichen können. SemiNex kann jetzt mit Ihnen an kundenspezifischen Designs einzelner Verstärker oder Arrays sowie verpackter Einheiten arbeiten, um die Anforderungen Ihrer integrierten Systeme zu erfüllen.

In diesem Jahr freuen wir uns, Ihnen unsere neuesten leistungsstarken DFB- und SOA-Butterfly-Faserpakete vorzustellen. Die neuen Hochleistungs-DFB-Laserdioden werden sowohl im C-Band als auch im O-Band angeboten und können die höchste optische Leistung und Gesamtleistung liefern. Zusammen mit unserem Hochleistungs-SOA können sie eine überlegene Erkennungsreichweite für LiDAR oder eine überlegene Übertragungsentfernung für optische Kommunikations- und Rechenzentrumsanwendungen erreichen. DFB-Mehrkanal- und Multiwellenlängen-Arrays sind auf Anfrage erhältlich. Schauen Sie unbedingt an unserem Stand vorbei, um weitere Informationen zu erhalten.

Auf der Messe werden wir auch unsere patentierte Triple-Junction-Laserdiode und -Anordnung vorstellen, die Hunderte bis Kilowatt Laserleistung für fortschrittliche Entfernungsmesser, ToF und Flash-LiDAR liefern kann. Der augensichere 1350-nm- und 1550-nm-Triple-Junction-Sensor kann sein 905-nm-Pendant hinsichtlich Signal-Rausch-Verhältnis, Erkennungsfähigkeit und Reichweite deutlich übertreffen. Unsere kleine und kostengünstige Laserdiodenlösung ist die beste Alternative zu einem sperrigen und teuren Faserlaser für autonome Fahrzeuge

Um auf der Messe ein persönliches Gespräch über die SemiNex-Produktangebote zu führen, können Sie ein Treffen vereinbaren, indem Sie Daniel Chu unter kontaktieren dchu@seminex.com oder +1-978-326-7702. Einzelheiten zu den SOA- und Triple-Junction-Laserdioden finden Sie unter seminex.com/lidar/.



SemiNex Corporation gibt Dennis Donahue zum Vice President of Operations bekannt

SemiNex Corporation gibt den neuen Vice President of Operations, Dennis Donahue, bekannt, um sein Geschäft mit Hochleistungslaserdioden der nächsten Generation auszubauen

31. Mai 2023: SemiNex Corporation (Danvers, MA), ein Hersteller von leistungsstarken Halbleiterlaserdiodengeräten und optischen Verstärkern, freut sich, die Ernennung von Dennis Donahue zum neuen Vice President of Operations bekannt zu geben. Herr Donahue bringt über 20 Jahre Erfahrung in den Bereichen Fertigungstechnik, Produktion, Qualitätssysteme, Lieferkettenmanagement und Innovation in das Unternehmen ein.

Dennis verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung komplexer Produkte für eine Vielzahl von Märkten, darunter Medizin, Biotechnologie, Luft- und Raumfahrt sowie industrielle Instrumentierung. Er ist ein versierter VP of Operations mit umfassendem Verständnis für den Betrieb in Reinraumumgebungen nach ISO 9001, FDA GMP und ISO-Klasse.

Zuvor war Herr Donahue als Vice President of Manufacturing Operations bei Innovations in Optics tätig, wo er einen Fertigungsbetrieb zur Herstellung, Prüfung und Verbesserung komplexer, ultraheller LED-Beleuchtungssysteme und elektronischer Treiber leitete.

Mit seiner umfangreichen Erfahrung in Management, Entwicklung und Betreuung von Mitarbeitern zur Schaffung einer Kultur der Qualitätsorientierung und kontinuierlichen Verbesserung ist Herr Donahue gut aufgestellt, um das Streben der SemiNex Corporation nach operativer Exzellenz voranzutreiben. Sein Fachwissen in der Entwicklung funktionsübergreifender Organisationsprozesse und der Anwendung fortschrittlicher Fertigungstechnologien wird entscheidend dazu beitragen, dass das Unternehmen seine Wachstumsziele erreicht.

„Wir freuen uns sehr, Dennis in unserem Team begrüßen zu dürfen“, sagte Ronald Moore, CEO der SemiNex Corporation. „Mit seiner Erfahrung und seinem Fachwissen sind wir zuversichtlich, dass Dennis unsere Produktionsabläufe im Einklang mit unserem unglaublichen Wachstum skalieren wird, um unsere ehrgeizigen Ziele in den Bereichen Qualität, Compliance und Einführung neuer Produkte zu erreichen.“

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Dr. Sidi Aboujja präsentiert technische Vorträge zu den neuesten SOA- und Triple-Junction-Produkten bei SPIE DCS

Dr. Sidi Aboujja von SemiNex präsentiert auf der SPIE DCS 2023 zwei technische Vorträge über unser neuestes SOA-Array und den hochzuverlässigen Triple Junction für Automotive LiDAR. Diese Vorträge erfassen die technologischen Fortschritte und Anwendungserkenntnisse, damit LiDAR eine große Reichweite bei geringen Kosten und kleiner Form erreichen kann Faktoren. Die Abstracts dieser Vorträge sind unten aufgeführt.

Fachbeitrag: Optischer Hochleistungs-Halbleiterverstärker und -Array für FMCW-LiDAR in autonomen Hochgeschwindigkeitsfahrzeugen

Abstrakt

Optische Halbleiterverstärker (SOA) haben aufgrund ihres kritischen Bedarfs an kohärenten Erkennungsschemata wie FMCW (frequenzmodulierte kontinuierliche Welle) in Automobil-LiDAR (Light Detection and Ranging) viel Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Die kohärente Erkennung bietet mehr Funktionen als ToF (Time of Flight) wie Geschwindigkeit und Richtung für autonome Fahrzeuge. Anstelle eines sperrigen und teuren Faserlasers kann eine kohärente Laserquelle mit SOA mit hoher Verstärkung einen kleinen Formfaktor mit Si PIC (Photonic Integrated Circuit) erreichen. Hier präsentieren wir eine proprietäre SOA-Struktur basierend auf einem AlInGaAs-Materialsystem mit mehreren Quantentöpfen auf einem InP-Substrat. Die SOAs mit gekrümmten und geneigten geraden Wellenleitern wurden entwickelt und getestet. Die gesättigte Ausgangsleistung eines solchen SOA bei 1550 nm und 1310 nm kann mehr als 350 mW und 450 mW mit hoher Wallplug-Effizienz erreichen. Die Kleinsignalverstärkung übersteigt 40 dB sowohl für 1310 nm als auch für 1550 nm. Die Beschichtung mit geringer Antireflexion (AR) kann ein Reflexionsvermögen von 0,011 TP3T erreichen, und die Rauschzahl und Nahfeldmodusfelder verschiedener SOA-Konfigurationen werden vorgestellt und verglichen. Ein Array aus vier SOA-Wellenleitern mit einem Abstand von 127 um oder 500 um kann eine Gesamtausgangsleistung von über 2 Watt mit geeigneter Wärmeableitung liefern. SOA-Arrays können auch einzeln adressierbar mit galvanischer und optischer Trennung verarbeitet werden. Ein solches Hochleistungs-SOA-Array bietet LiDAR-Systemen mit verschiedenen Scanstrategien die Gestaltungsfreiheit, sodass eine Erkennung über große Entfernungen realisiert werden kann. Gain-Chip, RSOA (Reflective SOA), basierend auf dem gekrümmten Wellenleiter für Laserkonfigurationen mit externem Resonator, wird getestet und diskutiert. Selbstausrichtungsfunktionen können auf dem SOA-Chipsatz aufgebaut werden, um die Integration von Si PIC für minimalen Platzbedarf und kostengünstige Massenproduktion zu erreichen.

Fachbeitrag: Augensichere, hochzuverlässige Triple-Junction-Laserdiode für Langstrecken-Entfernungsmesser und LiDAR

Abstrakt

Wir haben eine proprietäre Triple-Junction-Laserdiode mit augensicheren 1550 nm basierend auf AlInGaAs/InP-Materialsystemen für LiDAR- und Laser-Entfernungsmessungsanwendungen entwickelt. Drei monolithische Laserstrukturen mit Tunnelübergangsschichten wurden entwickelt, um mechanische Belastungen durch hervorragende Wärmeableitung zu reduzieren. Er erreicht die 3-fache Ausgangsleistung und den 2-fachen Wandsteckerwirkungsgrad eines Einzelanschlusses mit niedriger Betriebsspannung und hohem Flankenwirkungsgrad bei 1 W/A. Eine 1550-nm-Triple-Junction-Laserdiode ermöglicht es einem LiDAR oder Laser-Entfernungsmesser, im Vergleich zu einer Single-Junction- oder 905-nm-Laserdiode den längsten Erfassungsbereich zu erreichen. Hier demonstrieren wir die hohe Zuverlässigkeit von Triple-Junction-Hochleistungslaserdioden bei 1550 nm für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen. Der Lebensdauertest wurde an Triple-Junction-Proben mit 95 μm Apertur und 2,5 mm Hohlraumlänge in einem TO9-Gehäuse durchgeführt. Sie wurden mit einer durchschnittlichen Leistung von 700 mW in einer Impulsbreite von 100 μs und einem Arbeitszyklus von 10% bei 60 °C betrieben. Diese elektrischen und thermischen Stressbedingungen sind fast 20-mal höher als der Standardbetrieb für Automotive-LiDAR. Wir haben über 1000 Stunden Lebensdauertest auf 17 Geräten gesammelt. Basierend auf Arrhenius-Bedingungen beträgt die geschätzte MTTF (mittlere Ausfallzeit) 75.000 Stunden bei 20 °C und 17.000 Stunden bei 50 °C Betriebstemperatur, was 9,3-mal bzw. 2,5-mal mehr ist als die erforderlichen 8.000 Stunden in Automobilanwendungen. Wir haben auch Triple-Junction-Laserdioden bei bis zu 100 °C getestet und es zeigt keine Anzeichen von COD (katastrophale optische Schäden). Unter CW-Betriebsbedingungen mit hoher Belastung bei 5 W zeigen Triple-Junction-Laserdioden einen thermischen Überschlag, kehren aber bei gepulstem Betrieb zu ihrer normalen Leistung zurück.

SemiNex arbeitet gerne mit Ihnen an Design-In-Bemühungen oder kundenspezifischen Designanfragen, um die Anforderungen in Ihren integrierten LiDAR-Systemen zu erfüllen. Wenden Sie sich für Anfragen zu Produktangeboten, kundenspezifischen Designs und zukünftigen Projekten mit SemiNex sowie zur Vereinbarung eines Treffens mit uns an uns sales@seminex.com oder +1-978-326-7703. Einzelheiten zu den Triple-Junction-Laserdioden und SOAs finden Sie unter seminex.com/lidar/.

Dr. Sidi Aboujja hält auf der Photonics West Fachvorträge zu den neuesten SOA- und Triple-Junction-Produkten

Dr. Sidi Aboujja von SemiNex hat letzte Woche auf der SPIE Photonics West 2023 zwei Fachvorträge zu unserem neuesten SOA-Array und hochzuverlässigen Triple Junction für Automotive-LiDARs gehalten. Diese Vorträge erfassen die technologischen Fortschritte und Anwendungseinblicke, damit LiDAR eine große Reichweite bei niedrigen Kosten und kleinen Formfaktoren erreichen kann. Die Abstracts dieser Vorträge sind unten aufgeführt.

Fachbeitrag: Optischer Hochleistungs-Halbleiterverstärker und -Array für FMCW-LiDAR in autonomen Hochgeschwindigkeitsfahrzeugen

Abstrakt

Wir präsentieren eine branchenführende Plattform für optische Halbleiterverstärker (SOA), die sowohl bei 1550 nm als auch bei 1310 nm Spitzenleistung zeigt und in FMCW (Frequency-Modulated Continuous-Wave) LiDAR (Light Detection and Ranging) für autonome Fahrzeuge verwendet wird. Die SOA-Struktur basiert auf einem proprietären AlInGaAs-Materialsystem mit mehreren Quantentöpfen auf einem InP-Substrat. Die SOAs mit gekrümmten und geneigten geraden Wellenleitern wurden entwickelt und getestet. Die gesättigte Ausgangsleistung eines solchen SOA bei 1550 nm und 1310 nm kann mehr als 450 mW und 600 mW erreichen. Ein Array aus vier SOA-Wellenleitern mit einem Abstand von 127 um oder 500 um kann eine Gesamtausgangsleistung von über 2 Watt liefern. SOA-Arrays können auch als einzeln adressierbar mit galvanischer und optischer Trennung verarbeitet werden. Diese hohe Leistung bietet LiDAR-Systemen mit verschiedenen Scanstrategien Gestaltungsfreiheit, sodass eine Erkennung über große Entfernungen realisiert werden kann. Die Beschichtung mit geringer Antireflexion (AR) kann ein Reflexionsvermögen von 0,011 TP3T erreichen, und die Rauschzahl und Nahfeldmodusfelder verschiedener SOA-Konfigurationen werden vorgestellt und verglichen. Verstärkungschip basierend auf dem gekrümmten Wellenleiter für verschiedene Laserkonfigurationen wird getestet und diskutiert. Die SOA-Chips und -Arrays können in einen integrierten Silizium-Photonik-Schaltkreis (Si PIC) integriert werden, um die Gesamtfläche eines LiDAR-Systems und die Gesamtkosten zu minimieren. Sie umfassen Selbstausrichtungsfunktionen für eine einfache Integration und eine hohe Kopplungseffizienz auf Si-PIC.

Fachbeitrag: Hohe Zuverlässigkeit der 1550-nm-Triple-Junction-Laserdiode für Langstrecken-Automotive-LiDAR

Abstrakt

Wir haben die weltweit führende Triple-Junction-Laserdiode auf Basis von AlInGaAs/InP-Materialsystemen für LiDAR-Anwendungen entwickelt. Die monolithische Laserstruktur mit Tunnelübergangsschichten soll die Spannung reduzieren und die Wärmeableitung verbessern. Er hat die 3-fache Ausgangsleistung und die 2-fache Steckdoseneffizienz eines Single-Junction-Lasers aufgrund seiner niedrigen Betriebsspannung und der hohen Steigungseffizienz bei 1 W/A. Eine einzelne Triple-Junction-Laserdiode bei augensicheren 1550 nm ermöglicht es einem LiDAR, bei allen Wetterbedingungen eine Erkennungsreichweite von über 200 m zu erreichen. Es kann das LiDAR-Design im Vergleich zu anderen Laseroptionen wie 905-nm- oder Faserlasern drastisch verbessern und vereinfachen. Für die Massenakzeptanz durch die Automobilindustrie demonstrieren wir hier die hohe Zuverlässigkeit, die für Triple Junction-Hochleistungslaserdioden bei 1550 nm erforderlich ist. Der Lebensdauertest wurde an einem Triple Junction mit 95 µm Apertur und 2,5 mm Hohlraumlänge in einem TO9-Gehäuse durchgeführt. Sie wurden mit einer durchschnittlichen Leistung von 700 mW mit einer Impulsbreite von 100 Mikrosekunden und einem Arbeitszyklus von 10% bei 90 °C betrieben. Solche elektrischen Belastungen und Temperaturbedingungen sind fast 20-mal höher als der Standardbetrieb für Automotive-LiDAR. Wir haben mehr als 1000 Stunden Lebensdauertest auf 30 Geräten angesammelt. Basierend auf der Chi-Quadrat-Verteilungsanalyse und der Arrhenius-Gleichung beträgt die geschätzte MTTF (mittlere Ausfallzeit) 248.000 Stunden bei 20 °C und 57.000 Stunden bei 50 °C Betriebstemperatur, was 31-mal bzw. 7-mal mehr ist als die erforderlichen 8.000 Stunden in Automobilanwendungen . Wir haben auch Triple-Junction-Laserdioden bis zu 100 °C ohne Leistungseinbußen und ohne COD (katastrophale optische Schäden) getestet.

SemiNex arbeitet gerne mit Ihnen an Design-In-Bemühungen oder kundenspezifischen Designanfragen, um die Anforderungen in Ihren integrierten LiDAR-Systemen zu erfüllen. Wenden Sie sich für Anfragen zu Produktangeboten, kundenspezifischen Designs und zukünftigen Projekten mit SemiNex sowie zur Vereinbarung eines Treffens mit uns an uns sales@seminex.com oder +1-978-326-7703. Einzelheiten zu den Triple-Junction-Laserdioden und SOAs finden Sie unter seminex.com/lidar/.

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