SemiNex Corporation gibt Dennis Donahue zum Vice President of Operations bekannt

SemiNex Corporation gibt den neuen Vice President of Operations, Dennis Donahue, bekannt, um sein Geschäft mit Hochleistungslaserdioden der nächsten Generation auszubauen

31. Mai 2023: SemiNex Corporation (Danvers, MA), ein Hersteller von leistungsstarken Halbleiterlaserdiodengeräten und optischen Verstärkern, freut sich, die Ernennung von Dennis Donahue zum neuen Vice President of Operations bekannt zu geben. Herr Donahue bringt über 20 Jahre Erfahrung in den Bereichen Fertigungstechnik, Produktion, Qualitätssysteme, Lieferkettenmanagement und Innovation in das Unternehmen ein.

Dennis verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung komplexer Produkte für eine Vielzahl von Märkten, darunter Medizin, Biotechnologie, Luft- und Raumfahrt sowie industrielle Instrumentierung. Er ist ein versierter VP of Operations mit umfassendem Verständnis für den Betrieb in Reinraumumgebungen nach ISO 9001, FDA GMP und ISO-Klasse.

Zuvor war Herr Donahue als Vice President of Manufacturing Operations bei Innovations in Optics tätig, wo er einen Fertigungsbetrieb zur Herstellung, Prüfung und Verbesserung komplexer, ultraheller LED-Beleuchtungssysteme und elektronischer Treiber leitete.

Mit seiner umfangreichen Erfahrung in Management, Entwicklung und Betreuung von Mitarbeitern zur Schaffung einer Kultur der Qualitätsorientierung und kontinuierlichen Verbesserung ist Herr Donahue gut aufgestellt, um das Streben der SemiNex Corporation nach operativer Exzellenz voranzutreiben. Sein Fachwissen in der Entwicklung funktionsübergreifender Organisationsprozesse und der Anwendung fortschrittlicher Fertigungstechnologien wird entscheidend dazu beitragen, dass das Unternehmen seine Wachstumsziele erreicht.

„Wir freuen uns sehr, Dennis in unserem Team begrüßen zu dürfen“, sagte Ronald Moore, CEO der SemiNex Corporation. „Mit seiner Erfahrung und seinem Fachwissen sind wir zuversichtlich, dass Dennis unsere Produktionsabläufe im Einklang mit unserem unglaublichen Wachstum skalieren wird, um unsere ehrgeizigen Ziele in den Bereichen Qualität, Compliance und Einführung neuer Produkte zu erreichen.“

Kontakt:
Daniel Chu
Vizepräsident für Geschäftsentwicklung und Produktmanagement
+1 978-326-7702
dchu@seminex.com

Dr. Sidi Aboujja präsentiert technische Vorträge zu den neuesten SOA- und Triple-Junction-Produkten bei SPIE DCS

Dr. Sidi Aboujja von SemiNex präsentiert auf der SPIE DCS 2023 zwei technische Vorträge über unser neuestes SOA-Array und den hochzuverlässigen Triple Junction für Automotive LiDAR. Diese Vorträge erfassen die technologischen Fortschritte und Anwendungserkenntnisse, damit LiDAR eine große Reichweite bei geringen Kosten und kleiner Form erreichen kann Faktoren. Die Abstracts dieser Vorträge sind unten aufgeführt.

Fachbeitrag: Optischer Hochleistungs-Halbleiterverstärker und -Array für FMCW-LiDAR in autonomen Hochgeschwindigkeitsfahrzeugen

Abstrakt

Optische Halbleiterverstärker (SOA) haben aufgrund ihres kritischen Bedarfs an kohärenten Erkennungsschemata wie FMCW (frequenzmodulierte kontinuierliche Welle) in Automobil-LiDAR (Light Detection and Ranging) viel Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Die kohärente Erkennung bietet mehr Funktionen als ToF (Time of Flight) wie Geschwindigkeit und Richtung für autonome Fahrzeuge. Anstelle eines sperrigen und teuren Faserlasers kann eine kohärente Laserquelle mit SOA mit hoher Verstärkung einen kleinen Formfaktor mit Si PIC (Photonic Integrated Circuit) erreichen. Hier präsentieren wir eine proprietäre SOA-Struktur basierend auf einem AlInGaAs-Materialsystem mit mehreren Quantentöpfen auf einem InP-Substrat. Die SOAs mit gekrümmten und geneigten geraden Wellenleitern wurden entwickelt und getestet. Die gesättigte Ausgangsleistung eines solchen SOA bei 1550 nm und 1310 nm kann mehr als 350 mW und 450 mW mit hoher Wallplug-Effizienz erreichen. Die Kleinsignalverstärkung übersteigt 40 dB sowohl für 1310 nm als auch für 1550 nm. Die Beschichtung mit geringer Antireflexion (AR) kann ein Reflexionsvermögen von 0,011 TP3T erreichen, und die Rauschzahl und Nahfeldmodusfelder verschiedener SOA-Konfigurationen werden vorgestellt und verglichen. Ein Array aus vier SOA-Wellenleitern mit einem Abstand von 127 um oder 500 um kann eine Gesamtausgangsleistung von über 2 Watt mit geeigneter Wärmeableitung liefern. SOA-Arrays können auch einzeln adressierbar mit galvanischer und optischer Trennung verarbeitet werden. Ein solches Hochleistungs-SOA-Array bietet LiDAR-Systemen mit verschiedenen Scanstrategien die Gestaltungsfreiheit, sodass eine Erkennung über große Entfernungen realisiert werden kann. Gain-Chip, RSOA (Reflective SOA), basierend auf dem gekrümmten Wellenleiter für Laserkonfigurationen mit externem Resonator, wird getestet und diskutiert. Selbstausrichtungsfunktionen können auf dem SOA-Chipsatz aufgebaut werden, um die Integration von Si PIC für minimalen Platzbedarf und kostengünstige Massenproduktion zu erreichen.

Fachbeitrag: Augensichere, hochzuverlässige Triple-Junction-Laserdiode für Langstrecken-Entfernungsmesser und LiDAR

Abstrakt

Wir haben eine proprietäre Triple-Junction-Laserdiode mit augensicheren 1550 nm basierend auf AlInGaAs/InP-Materialsystemen für LiDAR- und Laser-Entfernungsmessungsanwendungen entwickelt. Drei monolithische Laserstrukturen mit Tunnelübergangsschichten wurden entwickelt, um mechanische Belastungen durch hervorragende Wärmeableitung zu reduzieren. Er erreicht die 3-fache Ausgangsleistung und den 2-fachen Wandsteckerwirkungsgrad eines Einzelanschlusses mit niedriger Betriebsspannung und hohem Flankenwirkungsgrad bei 1 W/A. Eine 1550-nm-Triple-Junction-Laserdiode ermöglicht es einem LiDAR oder Laser-Entfernungsmesser, im Vergleich zu einer Single-Junction- oder 905-nm-Laserdiode den längsten Erfassungsbereich zu erreichen. Hier demonstrieren wir die hohe Zuverlässigkeit von Triple-Junction-Hochleistungslaserdioden bei 1550 nm für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen. Der Lebensdauertest wurde an Triple-Junction-Proben mit 95 μm Apertur und 2,5 mm Hohlraumlänge in einem TO9-Gehäuse durchgeführt. Sie wurden mit einer durchschnittlichen Leistung von 700 mW in einer Impulsbreite von 100 μs und einem Arbeitszyklus von 10% bei 60 °C betrieben. Diese elektrischen und thermischen Stressbedingungen sind fast 20-mal höher als der Standardbetrieb für Automotive-LiDAR. Wir haben über 1000 Stunden Lebensdauertest auf 17 Geräten gesammelt. Basierend auf Arrhenius-Bedingungen beträgt die geschätzte MTTF (mittlere Ausfallzeit) 75.000 Stunden bei 20 °C und 17.000 Stunden bei 50 °C Betriebstemperatur, was 9,3-mal bzw. 2,5-mal mehr ist als die erforderlichen 8.000 Stunden in Automobilanwendungen. Wir haben auch Triple-Junction-Laserdioden bei bis zu 100 °C getestet und es zeigt keine Anzeichen von COD (katastrophale optische Schäden). Unter CW-Betriebsbedingungen mit hoher Belastung bei 5 W zeigen Triple-Junction-Laserdioden einen thermischen Überschlag, kehren aber bei gepulstem Betrieb zu ihrer normalen Leistung zurück.

SemiNex arbeitet gerne mit Ihnen an Design-In-Bemühungen oder kundenspezifischen Designanfragen, um die Anforderungen in Ihren integrierten LiDAR-Systemen zu erfüllen. Wenden Sie sich für Anfragen zu Produktangeboten, kundenspezifischen Designs und zukünftigen Projekten mit SemiNex sowie zur Vereinbarung eines Treffens mit uns an uns sales@seminex.com oder +1-978-326-7703. Einzelheiten zu den Triple-Junction-Laserdioden und SOAs finden Sie unter seminex.com/lidar/.

de_DEDeutsch